Samsung представляет первые многокристальные PRAM-модули - 30 Апреля 2010

Компания Samsung объявила о разработке первых в отрасли многокристальных модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM или PCM), предназначенных для мобильных устройств.

Принцип работы PRAM, напомним, основан на свойстве материала памяти (халькогенидных полупроводников) находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. При изменении состояния происходит переключение между логическим нулём и единицей.

Многокристальные энергонезависимые PRAM-модули «Самсунга» обладают обратной совместимостью с памятью NOR-флеш на программном и аппаратном уровнях. Как заявляют разработчики, по сравнению с NOR новые микрочипы характеризуются втрое более высокой скоростью передачи данных. Кроме того, PRAM-модули выдерживают большее количество циклов перезаписи. Ёмкость анонсированных микрочипов составляет 512 Мбит.

Предполагается, что первые телефоны и коммуникаторы с многокристальными PRAM-модулями начнут выпускаться в текущем квартале. Ну а в следующем году, как ожидается, память PRAM начнёт активно вытеснять NOR-флеш в сегменте потребительской электроники.

Подготовлено по материалам Samsung.